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薄膜綜合物性分析儀

產(chǎn)品簡介:新型林賽斯 薄膜綜合物性分析儀 TFA L59,是一款高度集成、易于操作的薄膜物性測量平臺(tái)。它采用獨(dú)特預(yù)結(jié)構(gòu)化芯片,支持多種沉積方法,可在單次測量中同時(shí)精確獲得薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)、塞貝克系數(shù)、電阻率等多種關(guān)鍵物理參數(shù),溫度范圍覆蓋-160°C至280°C,是半導(dǎo)體、陶瓷及有機(jī)材料薄膜研發(fā)的工具。

產(chǎn)品型號(hào):TFA L59

更新時(shí)間:2026-02-05

廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

訪問量:7274

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薄膜綜合物性分析儀

新型林賽斯 薄膜綜合物性分析儀 TFA L59 設(shè)備可用于表征薄膜的物理特性,它是一個(gè)高度集成且易于使用的測量平臺(tái)。


TFA L59 基本配置包括一個(gè)測量芯片(樣品可以輕松地沉積在其上面)以及一個(gè)用于提供所需環(huán)境條件的測量腔室。根據(jù)應(yīng)用的不同,該配置可與鎖相放大器和 / 或強(qiáng)電磁體配合使用。測量通常在高真空條件下進(jìn)行,并且在測量過程中,利用液氮(LN2)和功率強(qiáng)勁的加熱器,樣品溫度可控制在 -160 ℃ 至 280 ℃ 之間。


該芯片融合了用于測量導(dǎo)熱系數(shù)的 3ω 測試技術(shù),以及用于測定電輸運(yùn)性能的四探針范德堡測試結(jié)構(gòu),塞貝克系數(shù)可以通過位于范德堡電極附近集成的電阻溫度計(jì)來測量。為了便于樣品制備,可以使用剝離箔掩模或金屬蔭罩。


這種配置允許對(duì)通過物理氣相沉積(PVD,例如熱蒸發(fā)、濺射、分子束外延)、化學(xué)氣相沉積(CVD,例如原子層沉積)、旋涂、滴鑄或噴墨打印等方法制備的樣品,在一步操作中幾乎同時(shí)進(jìn)行表征。


該系統(tǒng)的一大優(yōu)勢在于能夠在一次測量過程中同時(shí)測定多種物理性質(zhì)。所有的測量都是在相同的(面內(nèi))方向上進(jìn)行的,因此具有很強(qiáng)的可比性。

獨(dú)特功能
  • 基于芯片的測量裝置,配備集成且預(yù)先結(jié)構(gòu)化的芯片作為耗材
  • 對(duì)于不同的材料、厚度、電阻以及沉積方法具有高度的靈活性
  • 高質(zhì)量且易于使用的薄膜(nm 至 μm 范圍)表征系統(tǒng)
  • 對(duì)于半導(dǎo)體、金屬、陶瓷和有機(jī)材料,在同一樣品上沿相同方向進(jìn)行的單次測量過程中可完成所有特性參數(shù)的測量。
  • 易于樣品制備和處理
  • 寬廣的溫度范圍(-160 ℃ - 280 ℃)



林賽斯 薄膜綜合物性分析儀 TFA L59


規(guī)格參數(shù)
類型TFA L59

溫度范圍:RT - 280 °C
-160 °C - 280 °C
電子電路:集成式
樣品厚度:5 nm - 25 μm(取決于樣品)接口:USB
測量原理:基于芯片構(gòu)造(預(yù)結(jié)構(gòu)化測量芯片,每盒 24 個(gè))導(dǎo)熱系數(shù):0.05 - 200 W/(m?K)
樣品制備方法:物理氣相沉積(濺射、蒸發(fā))、原子層沉積、旋涂、噴墨打印等電阻率:
0.05 - 1 × 106 S/cm
測量參數(shù):導(dǎo)熱系數(shù) (3ω 法)
比熱容
塞貝克系數(shù):5 - 2500 μV/K
可選模塊:塞貝克系數(shù) / 電導(dǎo)率 / 電阻率
霍爾常數(shù) / 霍爾遷移率 / 電荷載流子密度
(電磁體(磁場強(qiáng)度)可達(dá) 1 T,永磁體(磁場強(qiáng)度)為 0.5 T)
霍爾遷移率:1 - 107(cm2/Volt sec)
真空度:可達(dá) 10-5 mbar載流子濃度:107 - 1021(1/cm3)
應(yīng)用
適用于表征 nm 至 μm 厚度范圍的薄膜的物理特性,如半導(dǎo)體、金屬、陶瓷和有機(jī)材料。



 

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    上海市浦東新區(qū)陸家嘴數(shù)智天地·智慧谷T3棟120號(hào)

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